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NDT3055L  与  BSP320S H6327  区别

型号 NDT3055L BSP320S H6327
唯样编号 A36-NDT3055L-1 A-BSP320S H6327
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 表面贴装型 N 通道 60 V 4A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.5mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 120mΩ
上升时间 - 25ns
漏源极电压Vds - 60V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) - 1.8W
Qg-栅极电荷 - 9.7nC
栅极电压Vgs - 20V
正向跨导 - 最小值 - 2.5S
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA -
连续漏极电流Id - 2.9A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - BSP320
长度 - 6.5mm
下降时间 - 35ns
典型接通延迟时间 - 11ns
高度 - 1.6mm
库存与单价
库存 10,343 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.124
100+ :  ¥2.596
1,000+ :  ¥2.409
2,000+ :  ¥2.299
4,000+ :  ¥2.2
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NDT3055L ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-261-4,TO-261AA

¥3.124 

阶梯数 价格
20: ¥3.124
100: ¥2.596
1,000: ¥2.409
2,000: ¥2.299
4,000: ¥2.2
10,343 当前型号
ZXMN6A11GTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 120mΩ@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4.4A

¥2.123 

阶梯数 价格
30: ¥2.123
50: ¥1.639
1,000: ¥1.518
1,000 对比
ZVN4306GVTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 3W(Ta) 330mΩ@3A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 2.1A

¥3.982 

阶梯数 价格
20: ¥3.982
100: ¥3.179
893 对比
IRLL2705PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 40mΩ@3.8A,10V N-Channel 55V 5.2A SOT-223

暂无价格 0 对比
BSP318S H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

60V 2.6A 90mΩ 10V 1.8W N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比
BSP320S H6327 Infineon 小信号MOSFET

60V 2.9A 120mΩ 20V 1.8W N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比

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